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EMG8T2R |
EMT5 | Rohm Semiconductor | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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EMG8T2R参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 说明：TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5 包装数量：8000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 10mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大）：500nA 频率 - 转换：250MHz 功率 - 最大：150mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 固定式ELC-10D560E PMIC - 稳压TK11250CMCL-GH DC DC ConV28A48T200BG3 Card EdgeEBC30DRXS 气体放电管 (GDCG90SN 测试引线 - 香蕉B-24-6 薄膜电容器B32653A4105J289 晶体管(BJT) MPS651RLRA 陶瓷电容器A331M15X7RF5UAA Card EdgeGBM25DTBN |
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